IGBT吸收电容
产品特点：双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感、可承受较高的du/dt 能承受高脉冲电，ESR小，具有自愈性等。
广泛用于：变频器、SVG、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电变流器等行业的“across-the-bus”功率线路设计，适用所有IGBT模块区域尖峰电压的吸收保护
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额定电压 700V.DC~3000V.DC
额定容量 0.0047μF~10μF
温度范围 -40°C~85°C
容量偏差 ±5%, ±10%
极间耐电压 2Ur(DC) 10s 25±5℃
极壳耐电压 3000V 50Hz 60S, 25±5℃
损耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4
绝缘电阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
预期寿命 100000h at Ur and 70℃
公司同时生产下列电容产品
铝电解电容器http://www.vtco.com.cn/lddr/
滤波电容器http://www.vtco.com.cn/lvbo/
薄膜电容器http://www.vtco.com.cn/bmdr/
IGBT吸收电容http://www.vtco.com.cn/jfxs/
电解电容器http://www.vtco.com.cn/lddr/ |
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